型号: UMW15N10
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 80mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W(Tc)
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：宁先生
电话：13142358999
Q Q:
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：田维杰
电话：13628604461
Q Q:
联系人：谭显军
电话：18911733410
Q Q:
联系人：江先生
电话：13530242692
Q Q:
