型号: UMW1N60G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 11Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：马信潮
电话：15986802007
Q Q:
联系人：汤凌峰
电话：13316824656
Q Q:
联系人：小阮
电话：15259632030
Q Q:
