型号: UMW2N7002B
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 115mA
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 225mW
类型: N沟道
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