型号: UMW8205A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：双N沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 27mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 830mW
类型: 双N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：刘
电话：15915445455
Q Q:
联系人：肖小姐
电话：18219172356
Q Q:
