型号: UMZ1NT1
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: NPN，PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 2µA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值: 250mW
频率 - 跃迁: 114MHz，142MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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