型号: UPA2200T1M-T1-AT
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 23 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 8.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 870pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WSOF
供应商器件封装: 8-VSOF
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