型号: UPA2680T1E-E2-AT
功能描述: MOSFET/SCHOTTKY N-CH 20V 6-MLP
制造商: Renesas Electronics America/NEC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C： 3A
Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V
FET Feature： Diode (Isolated)
FET Type： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs： 3.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds： 190pF @ 10V
Mounting Type： Surface Mount
Package / Case： 6-VDFN Exposed Pad
Power - Max： 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50 mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package： 6-MLP (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA
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