型号: UPA2812T1L-E2-AT
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 100nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3740pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4.8 毫欧 @ 30A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-HWSON（3.3x3.3）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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