型号: UPD48576118F1-E24-DW1-E2-A
功能描述: IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
制造商: Renesas Electronics America Inc
Series: -
Package: Tray
Memory Type: Volatile
Memory Format: DRAM
Technology: LLDRAM2
Memory Size: 576Mb (32M x 18)
Memory Interface: HSTL
Clock Frequency: 400 MHz
Write Cycle Time - Word, Page: -
Access Time: 20 ns
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-TBGA
Supplier Device Package: 144-TFBGA (11x18.5)
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