型号:  US5U3TR

功能描述:  MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-353T-5

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  240 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.77 mm

长度:  2 mm

系列:  US5U3

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.7 mm

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

零件号别名:  US5U3

单位重量:  6 mg