型号: US6X3TR
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 3A
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 30mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 270 @ 500mA,2V
功率 - 最大值: 400mW
频率 - 跃迁: 360MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: UMT6
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
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