型号: USB10H
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 170 毫欧 @ 1.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 441pF @ 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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