型号:  UT6MA3TCR

功能描述:  MOSFET 20V Nch+Pch Si MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HUML2020L-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  5.5 A, 5 A

Rds On-漏源导通电阻:  30 mOhms, 42 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV, 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  4 nC, 6.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  3.1 S, 4.1 S

下降时间:  5.5 ns, 30 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.9 ns, 36 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  24 ns, 50 ns

典型接通延迟时间:  7.8 ns, 9 ns

零件号别名:  UT6MA3