型号: UTM4953G-SO8-R
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道
制造商: UTC(友顺)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.9A
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 60mΩ @ 4.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W
类型: 双P沟道
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