型号: UTV8100B
功能描述:
制造商: Microsemi
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60V
频率 - 跃迁: 470MHz ~ 860MHz
增益: 8.5dB ~ 9.5dB
功率 - 最大值: 290W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 20 @ 1A，5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 15A
工作温度: 200°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 55RT
供应商器件封装: 55RT
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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