型号: VB1695
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.66W(Tc) 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 85mΩ @ 1.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.66W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：15008931909
Q Q:
联系人：柳林
电话：13510650010
Q Q:
联系人：程小姐
电话：18820970320
Q Q:
