型号: VB2103K
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：3Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：650mW 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: -
栅源极阈值电压: -
漏源导通电阻: 3Ω @ 300mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 650mW
类型: P沟道
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