型号: VB8658
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6.5A
栅源极阈值电压: -
漏源导通电阻: -
最大功率耗散（Ta=25°C）: 4.2W
类型: P沟道
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