型号: VBA1405
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 3.8mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 5W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：钟丽君
电话：13928452225
Q Q:
联系人：李平波
电话：13510441062
Q Q:
联系人：王先生
电话：18925212832
Q Q:
