型号: VBA2305
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.6W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18A
栅源极阈值电压: 2.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 5mΩ @ 18A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 5.6W
类型: P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：陈晓斌
电话：15220450004
Q Q:
联系人：詹小姐
电话：13267163320
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：17688947206
Q Q:
