型号: VBA2412
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.1A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 8.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.3W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 16.1A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 14mΩ @ 8.4A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 6.3W
类型: P沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：孔生
电话：18098935723
Q Q:
联系人：苏明水
电话：13809710366
Q Q:
联系人：许强
电话：15989438418
Q Q:
