型号: VBA3695
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.09W 类型：双N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 95mΩ @ 1.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.09W
类型: 双N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：苏明水
电话：13809710366
Q Q:
联系人：张梓洋
电话：15986789713
Q Q:
Shanghai Hua' ai electronic technology co., ltd
联系人：赵先生
电话：18260268891
Q Q:
