型号: VBA5415
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc),8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 6.8A,10V;17mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.1W(Tc),5.2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 9A(Tc),8A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.2V @ 250uA,2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 15mΩ @ 6.8A,10V;17mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 6.1W(Tc),5.2W(Tc)
类型: N沟道和P沟道
联系人：郑小姐
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