型号: VBC6N2014
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道(共漏)
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6.2A
栅源极阈值电压: 1.6V @ 250uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 6.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1W
类型: 双N沟道(共漏)
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