型号: VBE1104N
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：34mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 40A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 34mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.75W
类型: N沟道
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