型号: VBE2338
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 26A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 52mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 25W
类型: P沟道
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