型号: VBE5638
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A,20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA,3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 35A,10V;50mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道和P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 35A,20A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA,3V @ 250uA
漏源导通电阻: 30mΩ @ 35A,10V;50mΩ @ 19A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W
类型: N沟道和P沟道
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