型号: VBFB2102M
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:215mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.1W 类型:P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): -100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 12A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 215mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 32.1W
类型: P沟道
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