型号: VBJ1201K
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 580mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.2Ω @ 580mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W
类型: N沟道
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