型号: VBJ2102M
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 2A,6V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.5W 类型:P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): -100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 3A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 230mΩ @ 2A,6V
最大功率耗散(Ta=25°C): 6.5W
类型: P沟道
联系人:Alien
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