型号: VBJ2102M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 2A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.5W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 230mΩ @ 2A,6V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 6.5W
类型: P沟道
联系人：Alien
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