型号: VBJ2456
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：-35V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -35V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6.2A
栅源极阈值电压: 1.8V @ 250uA
漏源导通电阻: 60mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 4.2W
类型: P沟道
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