型号: VBK5213N
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.28A,2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 100uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 500mA,1.8V;220mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.24W,1.1W 类型：N沟道和P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.28A,2.8A
栅源极阈值电压: 1V @ 100uA
漏源导通电阻: 130mΩ @ 500mA,1.8V;220mΩ @ 500mA,1.8V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.24W,1.1W
类型: N沟道和P沟道
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