型号: VBM1201K
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 850mΩ @ 2.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 42W
类型: N沟道
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13723777754
Q Q:
联系人：jocy
Q Q:
联系人：ke
Q Q:
