型号: VBM1202M
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:-
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 14A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 250mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 110W
类型: -
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:张小姐
联系人:傅小姐
电话:13310061703
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:Alien
联系人:彭小姐
联系人:高先生,曹先生,骆小姐,周小姐
电话:18520805148
联系人:罗R
Q Q:
联系人:彭威豪
电话:13530088610
联系人:何经理
电话:13798248878