型号: VBM165R18
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: -
最大功率耗散（Ta=25°C）: 208W
类型: N沟道
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