型号: VBM2102M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：167mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：11.7W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 167mΩ @ 18A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 11.7W
类型: P沟道
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