型号: VBMB1203M
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: -
最大功率耗散（Ta=25°C）: 37W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：高先生，曹先生，骆小姐，周小姐
电话：18520805148
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈经理
电话：13381306183
Q Q:
联系人：郭R
电话：2366341868
Q Q:
联系人：陈
电话：18002532730
Q Q:
