型号: VBMB17R07
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 700V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: -
最大功率耗散（Ta=25°C）: 31W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：周小姐，高先生，曹先生，骆小姐
电话：13760272017
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：刘德清
电话：13394057292
Q Q:
联系人：刘新
电话：17673093037
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13923864315
Q Q:
