型号: VBTA3230NS
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220mW 类型：双N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20A
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 600mA
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 300mΩ @ 500mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 220mW
类型: 双N沟道
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