型号: VEC2616-TL-W-Z
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3A,2.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 80 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 505pF @ 20V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: SOT-28FL/VEC8
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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