型号: VEC2616-TL-W-Z
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A，2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 80 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 505pF @ 20V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD，扁平引线
供应商器件封装: SOT-28FL/VEC8
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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