型号: VMM650-01F
功能描述: IXYS/分立半导体产品
制造商: IXYS
标准包装: 2
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 模块
系列: HiPerFET??
包装: 散装
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 680A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2.2 毫欧 @ 500A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 30mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1440nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: Y3-Li
供应商器件封装: Y3-Li
联系人:Alien
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