型号: VMO650-01F
功能描述: IXYS/分立半导体产品
制造商: IXYS
标准包装： 2
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： HiPerFET??
包装： 散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 690A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.8 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 6V @ 130mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 2300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 59000pF @ 25V
功率 - 最大值： 2500W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： Y3-DCB
供应商器件封装： Y3-DCB
其它名称： Q1434129VM0650-01F
联系人：Alien
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