VN0109N3-G规格参数_VN0109N3-G全国代理商/分销商

型号: VN0109N3-G
功能描述: Microchip Technology/分立半导体产品
制造商: Microchip Technology
数据列表： VN0109
PCN 组件/产地： Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014
标准包装： 1,000
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装：散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）： 90V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 350mA（Tj）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 65pF @ 25V
功率 - 最大值： 1W
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装： TO-92-3