型号: VN0605T
功能描述: VN0605T N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor
制造商: Vishay
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 0.18 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 5000 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-236-3
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 360 mW
工厂包装数量: 1000
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