型号: VN10K
功能描述: Semelab Si N沟道 MOSFET VN10K, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-18封装
制造商: SEMELAB
通道类型: N
最大连续漏极电流: 0.17 A
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 9 0hms
最大栅阈值电压: 2.5V
最大栅源电压: 15 V, -3 V
封装类型: TO-18
安装类型: 通孔
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 0.3125 W
典型关断延迟时间: 10 ns
典型输入电容值@Vds: 60 pF V @ 25
晶体管材料: Si
每片芯片元件数目: 1
最低工作温度: -55 °C
长度: 5.84mm
高度: 5.33mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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