型号: VN10LPSTOA
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 270mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 60pF @ 25V
功率 - 最大值： 625mW
安装类型： 通孔
封装/外壳： E-Line-3，成型引线
供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）
其它名称： VN10LPSTOATR
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