型号: VN2010L
功能描述: MOSFET 200V 0.19A 0.8W
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 190 mA
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Single
最小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 500
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