型号: VN2106N3-G
功能描述: MOSFET 60V 4Ohm
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
高度: 5.33 mm
长度: 5.21 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
宽度: 4.19 mm
商标: Microchip Technology
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 6 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
单位重量: 453.600 mg
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