型号: VN3515L
功能描述: N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
制造商: Vishay
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 350 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 0.15 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 15 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
下降时间: 2 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.8 W
上升时间: 2 ns
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 27 ns
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