型号: VND7NV04TR-E
功能描述: MOSFET N-Ch 42V 6A OmniFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 45 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Qg-栅极电荷: 18 nC
Pd-功率耗散: 60 W
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: VND7NV04
类型: Low Side
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 9 S
下降时间: 350 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 470 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g
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